ISC0802NLSATMA1规格参数_isc0802nlsatma1现货热销【斯普仑】

ISC0802NLSATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON

3645 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的ISC0802NLSATMA1，现有足量库存。ISC0802NLSATMA1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供ISC0802NLSATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ISC0802NLSATMA1的详细使用方法及教程。

ISC0802NLSATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	ISC0802NLSATMA1
描述	MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
制造商	Infineon Technologies
库存	3645
系列	OptiMOS™ 5
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	22A（Ta），150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.3V @ 92µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	73 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5190 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TDSON-8-7
封装/外壳	8-PowerTDFN

ISC0802NLSATMA1

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