IQE013N04LM6CGATMA1规格参数_iqe013n04lm6cgatma1现货热销【斯普仑】

IQE013N04LM6CGATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3

9766 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IQE013N04LM6CGATMA1，现有足量库存。IQE013N04LM6CGATMA1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供IQE013N04LM6CGATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IQE013N04LM6CGATMA1的详细使用方法及教程。

IQE013N04LM6CGATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IQE013N04LM6CGATMA1
描述	40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
制造商	Infineon Technologies
库存	9766
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	31A（Ta），205A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.35 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 51µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3900 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），107W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装	PG-TTFN-9-1
封装/外壳	8-PowerTDFN

IQE013N04LM6CGATMA1

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