IRL100HS121规格参数_irl100hs121现货热销【斯普仑】

IRL100HS121

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：6-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN

3596 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRL100HS121，现有足量库存。IRL100HS121的封装/规格参数为:6-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供IRL100HS121数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRL100HS121的详细使用方法及教程。

IRL100HS121产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRL100HS121
描述	MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	3596
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	42 毫欧 @ 6.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.3V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	5.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	440 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	11.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-PQFN 双通道（2x2）
封装/外壳	6-PowerVDFN

IRL100HS121

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