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G65P06D5

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V

2584 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的G65P06D5，现有足量库存。G65P06D5的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供G65P06D5数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G65P06D5的详细使用方法及教程。

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G65P06D5产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 G65P06D5
描述 P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
制造商 Goford Semiconductor
库存 2584
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 75 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5814 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 130W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-DFN（4.9x5.75）
封装/外壳 8-PowerTDFN

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