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IAUC24N10S5L300ATMA1

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:8-PowerTDFN

描述:MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33

1132 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IAUC24N10S5L300ATMA1,现有足量库存。IAUC24N10S5L300ATMA1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN;同时斯普仑现货为您提供IAUC24N10S5L300ATMA1数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IAUC24N10S5L300ATMA1的详细使用方法及教程。

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IAUC24N10S5L300ATMA1产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IAUC24N10S5L300ATMA1
描述 MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
制造商 Infineon Technologies
库存 1132
系列 OptiMOS™-5
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 12µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 670 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 38W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-33
封装/外壳 8-PowerTDFN

为智能时代加速到来而付出“真芯”