IRFHM9331TRPBF规格参数_irfhm9331trpbf现货热销【斯普仑】

IRFHM9331TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN

1806 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFHM9331TRPBF，现有足量库存。IRFHM9331TRPBF的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供IRFHM9331TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFHM9331TRPBF的详细使用方法及教程。

IRFHM9331TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFHM9331TRPBF
描述	MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	1806
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta），24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10 毫欧 @ 11A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1543 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PQFN（3x3）
封装/外壳	8-PowerTDFN

IRFHM9331TRPBF

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