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18N20

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V

3564 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的18N20，现有足量库存。18N20的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供18N20数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有18N20的详细使用方法及教程。

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18N20产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 18N20
描述 N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
制造商 Goford Semiconductor
库存 3564
系列 18N20
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 160 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 17.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 836 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 65.8W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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