IRF7606TR规格参数_irf7606tr现货热销【斯普仑】

IRF7606TR

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

描述：MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8

3259 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF7606TR，现有足量库存。IRF7606TR的封装/规格参数为:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供IRF7606TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF7606TR的详细使用方法及教程。

IRF7606TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRF7606TR
描述	MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
制造商	Infineon Technologies
库存	3259
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	90 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	520 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	Micro8™
封装/外壳	8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

IRF7606TR

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