GT100N12D5规格参数_gt100n12d5现货热销【斯普仑】

GT100N12D5

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

9189 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的GT100N12D5，现有足量库存。GT100N12D5的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供GT100N12D5数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GT100N12D5的详细使用方法及教程。

GT100N12D5产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	GT100N12D5
描述	N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
制造商	Goford Semiconductor
库存	9189
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	70A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3050 pF @ 60 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	120W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerVDFN

GT100N12D5

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