IRFHS8342TRPBF规格参数_irfhs8342trpbf现货热销【斯普仑】

IRFHS8342TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：6-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON

8142 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFHS8342TRPBF，现有足量库存。IRFHS8342TRPBF的封装/规格参数为:6-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供IRFHS8342TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFHS8342TRPBF的详细使用方法及教程。

IRFHS8342TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFHS8342TRPBF
描述	MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
制造商	Infineon Technologies
库存	8142
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8.8A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	16 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	600 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TSDSON-6
封装/外壳	6-PowerVDFN

IRFHS8342TRPBF

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