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4435

制造商:Goford Semiconductor

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33

6245 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的4435,现有足量库存。4435的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供4435数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有4435的详细使用方法及教程。

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4435产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 4435
描述 P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
制造商 Goford Semiconductor
库存 6245
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 40 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2270 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOP
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

为智能时代加速到来而付出“真芯”