欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

PJQ1916_R1_00201

制造商：Panjit International Inc.

封装外壳：3-UFDFN

描述：20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

8052 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Panjit International Inc.设计生产的PJQ1916_R1_00201，现有足量库存。PJQ1916_R1_00201的封装/规格参数为:3-UFDFN；同时斯普仑现货为您提供PJQ1916_R1_00201数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PJQ1916_R1_00201的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Panjit International Inc.设计生产的PJQ1916_R1_00201，现有足量库存。PJQ1916_R1_00201的封装/规格参数为:3-UFDFN；同时斯普仑现货为您提供PJQ1916_R1_00201数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PJQ1916_R1_00201的详细使用方法及教程。

PJQ1916_R1_00201产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 PJQ1916_R1_00201
描述 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
制造商 Panjit International Inc.
库存 8052
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 950mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 300 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 46 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DFN1006-3
封装/外壳 3-UFDFN

猜您喜欢

Panjit International Inc.

G15

Panjit International Inc.

E3M0065090D

Panjit International Inc.

C2M0080170P

Panjit International Inc.

CPMF-1200-S160B

Panjit International Inc.

CPMF-1200-S080B

Panjit International Inc.

CPM2-1200-0160B

Panjit International Inc.

CPM2-1200-0080B

Panjit International Inc.

BUK7Y25-80E/GFX

Panjit International Inc.

BUK7Y25-80E/CX

Panjit International Inc.

PSMN7R6-60XSQ

Panjit International Inc.

BUK761R5-40EJ

Panjit International Inc.

PSMN8R5-108ESQ

Panjit International Inc.

PSMN3R9-60XSQ

Panjit International Inc.

BUK9C1R3-40EJ

Panjit International Inc.

BUK951R8-40EQ

Panjit International Inc.

PMT760EN,115

Panjit International Inc.

PMT200EN,115

Panjit International Inc.

BUK9C5R3-100EJ

Panjit International Inc.

BUK9C3R8-80EJ

Panjit International Inc.

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”