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GT095N10S

制造商:Goford Semiconductor

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:N100V, 21A,RD<9.5M@10V,VTH1.2V~2

9187 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的GT095N10S,现有足量库存。GT095N10S的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供GT095N10S数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有GT095N10S的详细使用方法及教程。

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GT095N10S产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 GT095N10S
描述 N100V, 21A,RD<9.5M@10V,VTH1.2V~2
制造商 Goford Semiconductor
库存 9187
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 29.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2131 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 8W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOP
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

为智能时代加速到来而付出“真芯”