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25P06

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T

7195 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的25P06，现有足量库存。25P06的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供25P06数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有25P06的详细使用方法及教程。

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25P06产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 25P06
描述 P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
制造商 Goford Semiconductor
库存 7195
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 45 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 37 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3384 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 100W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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