欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

60N06

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M

8297 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的60N06，现有足量库存。60N06的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供60N06数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有60N06的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的60N06，现有足量库存。60N06的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供60N06数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有60N06的详细使用方法及教程。

60N06产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 60N06
描述 N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
制造商 Goford Semiconductor
库存 8297
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 17 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 50 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2050 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 85W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252（DPAK）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

猜您喜欢

Goford Semiconductor

G15

Goford Semiconductor

E3M0065090D

Goford Semiconductor

C2M0080170P

Goford Semiconductor

CPMF-1200-S160B

Goford Semiconductor

CPMF-1200-S080B

Goford Semiconductor

CPM2-1200-0160B

Goford Semiconductor

CPM2-1200-0080B

Goford Semiconductor

BUK7Y25-80E/GFX

Goford Semiconductor

BUK7Y25-80E/CX

Goford Semiconductor

PSMN7R6-60XSQ

Goford Semiconductor

BUK761R5-40EJ

Goford Semiconductor

PSMN8R5-108ESQ

Goford Semiconductor

PSMN3R9-60XSQ

Goford Semiconductor

BUK9C1R3-40EJ

Goford Semiconductor

BUK951R8-40EQ

Goford Semiconductor

PMT760EN,115

Goford Semiconductor

PMT200EN,115

Goford Semiconductor

BUK9C5R3-100EJ

Goford Semiconductor

BUK9C3R8-80EJ

Goford Semiconductor

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”