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G12P03D3

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26

4148 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的G12P03D3，现有足量库存。G12P03D3的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供G12P03D3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G12P03D3的详细使用方法及教程。

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G12P03D3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 G12P03D3
描述 P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
制造商 Goford Semiconductor
库存 4148
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 20 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 24.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1253 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-DFN（3.15x3.05）
封装/外壳 8-PowerVDFN

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