G2K2P10SE规格参数_g2k2p10se现货热销【斯普仑】

G2K2P10SE

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：P-100V, 3.5A,RD<200M@-10V,VTH1V~

9485 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的G2K2P10SE，现有足量库存。G2K2P10SE的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供G2K2P10SE数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G2K2P10SE的详细使用方法及教程。

G2K2P10SE产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	G2K2P10SE
描述	P-100V, 3.5A,RD<200M@-10V,VTH1V~
制造商	Goford Semiconductor
库存	9485
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	200 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1653 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.1W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOP
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

G2K2P10SE

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