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G2012

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：6-WDFN 裸露焊盘

描述：N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18

5408 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的G2012，现有足量库存。G2012的封装/规格参数为:6-WDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供G2012数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G2012的详细使用方法及教程。

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G2012产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 G2012
描述 N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18
制造商 Goford Semiconductor
库存 5408
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 12 毫欧 @ 5A， 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 29 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1255 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-DFN（2x2）
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘

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