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G20N03D2

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：6-WDFN 裸露焊盘

描述：N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M

4367 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的G20N03D2，现有足量库存。G20N03D2的封装/规格参数为:6-WDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供G20N03D2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G20N03D2的详细使用方法及教程。

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G20N03D2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 G20N03D2
描述 N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
制造商 Goford Semiconductor
库存 4367
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 24 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 873 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-DFN（2x2）
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘

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