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NVBG080N120SC1

制造商:onsemi

封装外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

描述:SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

9269 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVBG080N120SC1,现有足量库存。NVBG080N120SC1的封装/规格参数为:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA;同时斯普仑现货为您提供NVBG080N120SC1数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NVBG080N120SC1的详细使用方法及教程。

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NVBG080N120SC1产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 NVBG080N120SC1
描述 SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
制造商 onsemi
库存 9269
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 110 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.3V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 56 nC @ 20 V
Vgs(最大值) +25V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1154 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 179W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK-7
封装/外壳 TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

为智能时代加速到来而付出“真芯”