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NVBG160N120SC1

制造商：onsemi

封装外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

描述：SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

6632 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVBG160N120SC1，现有足量库存。NVBG160N120SC1的封装/规格参数为:TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA；同时斯普仑现货为您提供NVBG160N120SC1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVBG160N120SC1的详细使用方法及教程。

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NVBG160N120SC1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NVBG160N120SC1
描述 SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
制造商 onsemi
库存 6632
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 224毫欧 @ 12A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4，3V @ 2，5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 33.8 nC @ 20 V
Vgs（最大值） +25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 678 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 136W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK-7
封装/外壳 TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

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