STO68N65DM6规格参数_sto68n65dm6现货热销【斯普仑】

STO68N65DM6

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：8-PowerSFN

描述：N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5

3269 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STO68N65DM6，现有足量库存。STO68N65DM6的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供STO68N65DM6数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STO68N65DM6的详细使用方法及教程。

STO68N65DM6产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STO68N65DM6
描述	N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5
制造商	STMicroelectronics
库存	3269
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	65 毫欧 @ 27.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3528 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	240W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TOLL（HV）
封装/外壳	8-PowerSFN

STO68N65DM6

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