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STO33N60M6

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：8-PowerSFN

描述：MOSFET N-CH 600V 25A TOLL

2764 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STO33N60M6，现有足量库存。STO33N60M6的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供STO33N60M6数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STO33N60M6的详细使用方法及教程。

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STO33N60M6产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STO33N60M6
描述 MOSFET N-CH 600V 25A TOLL
制造商 STMicroelectronics
库存 2764
系列 MDmesh™ M6
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 125 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 33.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1515 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 230W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TOLL（HV）
封装/外壳 8-PowerSFN

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