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FDB024N08BL7

制造商：onsemi

封装外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

描述：MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7

4223 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDB024N08BL7，现有足量库存。FDB024N08BL7的封装/规格参数为:TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）；同时斯普仑现货为您提供FDB024N08BL7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDB024N08BL7的详细使用方法及教程。

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FDB024N08BL7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDB024N08BL7
描述 MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
制造商 onsemi
库存 4223
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 178 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 13530 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 246W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263-7
封装/外壳 TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

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