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STD65N160M9

制造商:STMicroelectronics

封装外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

描述:N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,

2839 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STD65N160M9,现有足量库存。STD65N160M9的封装/规格参数为:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时斯普仑现货为您提供STD65N160M9数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STD65N160M9的详细使用方法及教程。

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STD65N160M9产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 STD65N160M9
描述 N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
制造商 STMicroelectronics
库存 2839
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 160 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1239 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 106W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

为智能时代加速到来而付出“真芯”