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TP65H480G4JSG-TR

制造商：Transphorm

封装外壳：3-SMD，扁平引线

描述：GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

1618 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TP65H480G4JSG-TR，现有足量库存。TP65H480G4JSG-TR的封装/规格参数为:3-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供TP65H480G4JSG-TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TP65H480G4JSG-TR的详细使用方法及教程。

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TP65H480G4JSG-TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TP65H480G4JSG-TR
描述 GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
制造商 Transphorm
库存 1618
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 560 毫欧 @ 3.4A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.8V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9 nC @ 8 V
Vgs（最大值） ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 760 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 13.2W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PQFN（5x6）
封装/外壳 3-SMD，扁平引线

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