NTMFSC4D2N10MC规格参数_ntmfsc4d2n10mc现货热销【斯普仑】

NTMFSC4D2N10MC

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN

3474 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMFSC4D2N10MC，现有足量库存。NTMFSC4D2N10MC的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供NTMFSC4D2N10MC数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMFSC4D2N10MC的详细使用方法及教程。

NTMFSC4D2N10MC产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTMFSC4D2N10MC
描述	MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
制造商	onsemi
库存	3474
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	29.6A（Ta），116A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.3 毫欧 @ 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2856 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	7.9W（Ta），122W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5x6.15）
封装/外壳	8-PowerVDFN

NTMFSC4D2N10MC

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