STFI20N65M5规格参数_stfi20n65m5现货热销【斯普仑】

STFI20N65M5

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-262-3 整包，I²Pak

描述：MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP

2779 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STFI20N65M5，现有足量库存。STFI20N65M5的封装/规格参数为:TO-262-3 整包，I²Pak；同时斯普仑现货为您提供STFI20N65M5数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STFI20N65M5的详细使用方法及教程。

STFI20N65M5产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STFI20N65M5
描述	MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
制造商	STMicroelectronics
库存	2779
系列	MDmesh™ V
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1345 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	130W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	I2PAKFP（TO-281）
封装/外壳	TO-262-3 整包，I²Pak

STFI20N65M5

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