STL19N60DM2规格参数_stl19n60dm2现货热销【斯普仑】

STL19N60DM2

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV

5363 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL19N60DM2，现有足量库存。STL19N60DM2的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供STL19N60DM2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STL19N60DM2的详细使用方法及教程。

STL19N60DM2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STL19N60DM2
描述	MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
制造商	STMicroelectronics
库存	5363
系列	MDmesh™ DM2
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	320 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	90W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳	8-PowerVDFN

STL19N60DM2

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