RS6G120BGTB1规格参数_rs6g120bgtb1现货热销【斯普仑】

RS6G120BGTB1

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE

6012 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RS6G120BGTB1，现有足量库存。RS6G120BGTB1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供RS6G120BGTB1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RS6G120BGTB1的详细使用方法及教程。

RS6G120BGTB1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RS6G120BGTB1
描述	NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
制造商	Rohm Semiconductor
库存	6012
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.34 毫欧 @ 90A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4240 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	104W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HSOP
封装/外壳	8-PowerTDFN

RS6G120BGTB1

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