DN3765K4-G规格参数_dn3765k4-g现货热销【斯普仑】

DN3765K4-G

制造商：Microchip Technology

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

5326 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的DN3765K4-G，现有足量库存。DN3765K4-G的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供DN3765K4-G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DN3765K4-G的详细使用方法及教程。

DN3765K4-G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DN3765K4-G
描述	MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
制造商	Microchip Technology
库存	5326
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	300mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8 欧姆 @ 150mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	825 pF @ 25 V
FET 功能	耗尽模式
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252，（D-Pak）
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

DN3765K4-G

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