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NTMFS3D2N10MDT1G

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN，5 引线

描述：PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE

2451 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMFS3D2N10MDT1G，现有足量库存。NTMFS3D2N10MDT1G的封装/规格参数为:8-PowerTDFN，5 引线；同时斯普仑现货为您提供NTMFS3D2N10MDT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMFS3D2N10MDT1G的详细使用方法及教程。

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NTMFS3D2N10MDT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTMFS3D2N10MDT1G
描述 PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
制造商 onsemi
库存 2451
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19A（Ta），142A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 316µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 71.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3900 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），155W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线

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