STI14NM50N规格参数_sti14nm50n现货热销【斯普仑】

STI14NM50N

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

描述：MOSFET N CH 500V 12A I2PAK

4333 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STI14NM50N，现有足量库存。STI14NM50N的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供STI14NM50N数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STI14NM50N的详细使用方法及教程。

STI14NM50N产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STI14NM50N
描述	MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
制造商	STMicroelectronics
库存	4333
系列	MDmesh™ II
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	320 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	816 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	90W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	I2PAK（TO-262）
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

STI14NM50N

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