NTTFS6H850NTAG规格参数_nttfs6h850ntag现货热销【斯普仑】

NTTFS6H850NTAG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

2947 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTTFS6H850NTAG，现有足量库存。NTTFS6H850NTAG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NTTFS6H850NTAG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTTFS6H850NTAG的详细使用方法及教程。

NTTFS6H850NTAG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTTFS6H850NTAG
描述	MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
制造商	onsemi
库存	2947
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta），68A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1140 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.2W（Ta），107W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN

NTTFS6H850NTAG

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