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XPW6R30ANB,L1XHQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP

3844 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的XPW6R30ANB,L1XHQ，现有足量库存。XPW6R30ANB,L1XHQ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供XPW6R30ANB,L1XHQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有XPW6R30ANB,L1XHQ的详细使用方法及教程。

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XPW6R30ANB,L1XHQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 XPW6R30ANB,L1XHQ
描述 MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 3844
系列 U-MOSVIII-H
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 45A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6.3 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 52 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3240 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 960mW（Ta），132W（Tc）
工作温度 175°C
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-DSOP Advance
封装/外壳 8-PowerVDFN

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