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斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDMS7572S，现有足量库存。FDMS7572S的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供FDMS7572S数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDMS7572S的详细使用方法及教程。
| FDMS7572S产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | FDMS7572S |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 2147 |
| 系列 | PowerTrench®, SyncFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） , 卷带（TR） , 剪切带（CT） , 剪切带（CT） , Digi-Reel® 得捷定制卷带 , Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta），49A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.9 毫欧 @ 23A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2780 pF @ 13 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），46W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
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