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TPH2R306NH1,LQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ

1216 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPH2R306NH1,LQ，现有足量库存。TPH2R306NH1,LQ的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供TPH2R306NH1,LQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH2R306NH1,LQ的详细使用方法及教程。

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TPH2R306NH1,LQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TPH2R306NH1,LQ
描述 UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 1216
系列 U-MOSVIII-H
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6100 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 800mW（Ta），170W（Tc）
工作温度 150°C
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5.75）
封装/外壳 8-PowerTDFN

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