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DMT10H010LSS-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO

5653 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT10H010LSS-13，现有足量库存。DMT10H010LSS-13的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供DMT10H010LSS-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT10H010LSS-13的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT10H010LSS-13，现有足量库存。DMT10H010LSS-13的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供DMT10H010LSS-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT10H010LSS-13的详细使用方法及教程。

DMT10H010LSS-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMT10H010LSS-13
描述 MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
库存 5653
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.5A（Ta），29.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.5 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 71 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3000 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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