NP16N06YLL-E1-AY规格参数_np16n06yll-e1-ay现货热销【斯普仑】

NP16N06YLL-E1-AY

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：8-PowerLDFN

描述：ABU / MOSFET

8360 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的NP16N06YLL-E1-AY，现有足量库存。NP16N06YLL-E1-AY的封装/规格参数为:8-PowerLDFN；同时斯普仑现货为您提供NP16N06YLL-E1-AY数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NP16N06YLL-E1-AY的详细使用方法及教程。

NP16N06YLL-E1-AY产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NP16N06YLL-E1-AY
描述	ABU / MOSFET
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	8360
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	35 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	600 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.25W（Ta），27.3W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HSON（5x5.4）
封装/外壳	8-PowerLDFN

NP16N06YLL-E1-AY

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