AONS1R6A70规格参数_aons1r6a70现货热销【斯普仑】

AONS1R6A70

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN

9567 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Alpha & Omega Semiconductor Inc.设计生产的AONS1R6A70，现有足量库存。AONS1R6A70的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供AONS1R6A70数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有AONS1R6A70的详细使用方法及教程。

AONS1R6A70产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	AONS1R6A70
描述	MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN
制造商	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存	9567
系列	aMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.1A（Ta），4.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.6 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	354 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	4.1W（Ta），78W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN-EP（5x6）
封装/外壳	8-PowerVDFN

AONS1R6A70

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