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CSD16322Q5

制造商：Texas Instruments

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON

6112 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD16322Q5，现有足量库存。CSD16322Q5的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供CSD16322Q5数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD16322Q5的详细使用方法及教程。

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CSD16322Q5产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 CSD16322Q5
描述 MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
制造商 Texas Instruments
库存 6112
系列 NexFET™
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A（Ta），97A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5 毫欧 @ 20A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） +10V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1365 pF @ 12.5 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN

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