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NVF6P02T3G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-261-4，TO-261AA

描述：MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

1241 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVF6P02T3G，现有足量库存。NVF6P02T3G的封装/规格参数为:TO-261-4，TO-261AA；同时斯普仑现货为您提供NVF6P02T3G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVF6P02T3G的详细使用方法及教程。

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NVF6P02T3G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NVF6P02T3G
描述 MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
制造商 onsemi
库存 1241
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 50 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1200 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 8.3W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-223（TO-261）
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

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