STU9HN65M2规格参数_stu9hn65m2现货热销【斯普仑】

STU9HN65M2

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

描述：MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

6222 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STU9HN65M2，现有足量库存。STU9HN65M2的封装/规格参数为:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；同时斯普仑现货为您提供STU9HN65M2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STU9HN65M2的详细使用方法及教程。

STU9HN65M2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STU9HN65M2
描述	MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
制造商	STMicroelectronics
库存	6222
系列	MDmesh™ M2
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	820 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	11.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	325 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	60W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-251（IPAK）
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

STU9HN65M2

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