STN1HNK60规格参数_stn1hnk60现货热销【斯普仑】

STN1HNK60

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-261-4，TO-261AA

描述：MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223

8674 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STN1HNK60，现有足量库存。STN1HNK60的封装/规格参数为:TO-261-4，TO-261AA；同时斯普仑现货为您提供STN1HNK60数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STN1HNK60的详细使用方法及教程。

STN1HNK60产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STN1HNK60
描述	MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
制造商	STMicroelectronics
库存	8674
系列	SuperMESH™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	400mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	156 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.3W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-223
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA

STN1HNK60

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