SI7119DN-T1-E3规格参数_si7119dn-t1-e3现货热销【斯普仑】

SI7119DN-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：PowerPAK® 1212-8

描述：MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8

6340 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SI7119DN-T1-E3，现有足量库存。SI7119DN-T1-E3的封装/规格参数为:PowerPAK® 1212-8；同时斯普仑现货为您提供SI7119DN-T1-E3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SI7119DN-T1-E3的详细使用方法及教程。

SI7119DN-T1-E3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SI7119DN-T1-E3
描述	MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
制造商	Vishay Siliconix
库存	6340
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.05 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	666 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度	-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8

SI7119DN-T1-E3

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