SIHFRC20TR-GE3规格参数_sihfrc20tr-ge3现货热销【斯普仑】

SIHFRC20TR-GE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CHANNEL 600V

1755 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIHFRC20TR-GE3，现有足量库存。SIHFRC20TR-GE3的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供SIHFRC20TR-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIHFRC20TR-GE3的详细使用方法及教程。

SIHFRC20TR-GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SIHFRC20TR-GE3
描述	MOSFET N-CHANNEL 600V
制造商	Vishay Siliconix
库存	1755
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.4 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	350 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），42W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

SIHFRC20TR-GE3

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