RV4E031RPHZGTCR1规格参数_rv4e031rphzgtcr1现货热销【斯普仑】

RV4E031RPHZGTCR1

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：6-PowerWFDFN

描述：MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

1823 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RV4E031RPHZGTCR1，现有足量库存。RV4E031RPHZGTCR1的封装/规格参数为:6-PowerWFDFN；同时斯普仑现货为您提供RV4E031RPHZGTCR1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RV4E031RPHZGTCR1的详细使用方法及教程。

RV4E031RPHZGTCR1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RV4E031RPHZGTCR1
描述	MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
制造商	Rohm Semiconductor
库存	1823
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	105 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	4.8 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	460 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.5W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装	DFN1616-6W
封装/外壳	6-PowerWFDFN

RV4E031RPHZGTCR1

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