PXP8R3-20QXJ规格参数_pxp8r3-20qxj现货热销【斯普仑】

PXP8R3-20QXJ

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33

9629 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PXP8R3-20QXJ，现有足量库存。PXP8R3-20QXJ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供PXP8R3-20QXJ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PXP8R3-20QXJ的详细使用方法及教程。

PXP8R3-20QXJ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PXP8R3-20QXJ
描述	PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	9629
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12.4A（Ta）， 65.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.3 毫欧 @ 12.3A， 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	91.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6200 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），50W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	MLPAK33
封装/外壳	8-PowerVDFN

PXP8R3-20QXJ

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