RV8C010UNHZGG2CR规格参数_rv8c010unhzgg2cr现货热销【斯普仑】

RV8C010UNHZGG2CR

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W

4364 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RV8C010UNHZGG2CR，现有足量库存。RV8C010UNHZGG2CR的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供RV8C010UNHZGG2CR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RV8C010UNHZGG2CR的详细使用方法及教程。

RV8C010UNHZGG2CR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RV8C010UNHZGG2CR
描述	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
制造商	Rohm Semiconductor
库存	4364
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	470 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	40 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DFN1010-3W
封装/外壳	3-XFDFN

RV8C010UNHZGG2CR

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