BSS84XHZGG2CR规格参数_bss84xhzgg2cr现货热销【斯普仑】

BSS84XHZGG2CR

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W

2186 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的BSS84XHZGG2CR，现有足量库存。BSS84XHZGG2CR的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供BSS84XHZGG2CR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSS84XHZGG2CR的详细使用方法及教程。

BSS84XHZGG2CR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSS84XHZGG2CR
描述	MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
制造商	Rohm Semiconductor
库存	2186
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	230mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5.3 欧姆 @ 230mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	34 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DFN1010-3W
封装/外壳	3-XFDFN

BSS84XHZGG2CR

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心